铠侠与闪迪联合发布第九代2Tb QLC 3D NAND

铠侠与闪迪联合发布全新第九代高性能 2Tb QLC 3D 闪存技术。该技术专为满足 AI 驱动型基础设施日益增长的存储需求而设计，旨在通过架构创新推动存储性能跟上 AI 工作负载的发展步伐，同时实现更具成本效率的制造模式。

新一代技术采用了铠侠与闪迪的 CMOS 直接键合阵列（CBA）架构，将先进的 CMOS 晶圆与成熟的存储阵列平台相结合，并辅以多项设计与器件创新。这一方案不仅提升了性能，还加快了面向云端及数据密集型应用的高级存储解决方案的部署速度。

与前代第八代 2Tb QLC 产品相比，第九代技术凭借 6 平面（6-plane）架构及多项性能优化，实现了更高的读写带宽，并显著提升了读写能效。此外，其 NAND 接口速度达到 4.8Gb/s，较第八代产品提升了 33%。

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