三星首秀HBM5：采用2nm工艺及HPB技术，解决AI内存散热难题

为抢占下一代高带宽内存（HBM）市场主导权，三星电子正式启动技术“超级差距”战略。日前首次公开第八代产品HBM5模型，并计划应用新技术以强化HBM的散热特性。

三星电子首席技术官宋载赫表示，HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM，并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5，三星计划引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。

从展出的模型来看，HBM5与前代产品HBM4E最大的区别在于采用了HPB技术。该技术旨在解决AI内存高性能化过程中发热量增加问题，它能够更高效地分散和排出物理层（PHY）区域产生的热量。通过增加独立的热传导路径，降低了热阻并提高了运行稳定性。预计未来该技术将在高带宽、高集成的AI环境中，对提升系统整体效率发挥重要作用。

此外，三星电子透露，目前已经完成了在HBM4E产品上对HPB技术的实现与验证。未来计划在HBM5产品上正式应用该技术，进一步保障产品的性能与稳定性。

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