SDNAND测速软件不一样怎么回事

这很正常：CDM 是“短跑测爆发”，H2 是“马拉松测持续全盘”，两者测试目的不同，所以同一个 SD NAND 测出来差距会很大，CDM 通常明显更快。

主要差异有以下几点：

1. 测试数据量不同，缓存是否被打穿

这是最常见的原因。

• CrystalDiskMark 默认通常只测 1 GiB / 5 GiB 的数据量。

• 很多 SD NAND 都有 SLC Cache / pSLC 缓存，大小可能正好是几个 GiB。

• 所以 CDM 测到的经常是“缓存内的速度”，还没写穿缓存就结束了。

• H2testw 默认是 写满整个 SD NAND 再读回验证。

• 一旦缓存写满，速度就会掉到 TLC/QLC 原生闪存的“缓外速度”，同时还要做垃圾回收、块擦除，速度会大幅下降。

所以会出现：
CDM 写入 80 MB/s，H2 写满后只有 15~30 MB/s，这是典型的“缓存速度 vs 缓外速度”差异。

2. 队列深度和线程不同

• CDM 默认顺序读写是 SEQ1M Q8T1，队列深度较高、多线程方式调度，能更充分地压榨主控和接口。

• H2 基本是单线程顺序读写，更接近日常单个大文件复制，约等于 CDM 的 Q1T1。

即使 SD 协议本身不像 NVMe 有很强的多队列能力，但在系统、读卡器、桥接芯片层面，高队列深度仍可能带来吞吐提升。

3. 测试持续时间不同，温度和降频影响不同

• CDM 测试时间短，主控还没发热就已经跑完。

• H2 写满全盘需要几分钟甚至几十分钟，SD NAND 主控温度升高后，可能主动降频限速，进一步拉低速度。

4. H2 带完整性校验，且盘状态更“脏”

• H2 写满后会读回验证数据，读的数据量远大于 CDM，不可能全部命中系统内存缓存，因此读速度更真实。

• 写满过程中文件系统元数据更新、NAND 块擦写、写放大都会产生额外负担。

• 如果测试前 SD NAND 不是空盘，或者没有格式化，情况会更差。

5. 哪个速度更值得参考？

如果你买 SD NAND 是为了大量持续写入，比如录像、数据记录，H2 的持续速度更有实际意义。
如果你只是看它理论上能跑多快，CDM 的数字会好看很多。

6. 想让 CDM 尽量接近 H2 的测法

可以把 CDM 设置成：

• 测试大小：等于整盘容量，或至少 16 GiB 以上；

• 队列深度/线程：改成 Q1T1；

• 重复次数：3~5 次；

• 测试前格式化，保证空盘。

这样 CDM 测出来的顺序写入会更接近 H2 的真实持续写入速度。

所以总结就是：
CDM 快很多不是故障，而是它测到了缓存爆发速度；H2 才是更接近写满、持续写入时的真实速度。
如果两者差距极大，说明这块 SD NAND 的缓外写入能力比较弱，长期大量写入时就会掉到 H2 那个水平。

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