SDNAND（SD 接口的 NAND 闪存）和 SPI Flash（串行外设接口闪存）由于接口协议、存储结构和应用场景的差异，其访问命令集存在显著区别。以下从协议基础、命令结构、核心操作命令等方面展开对比：
| 功能 | SDNAND 命令（SD 协议） | SPI Flash 命令（典型） |
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| 复位 | CMD0（GO_IDLE_STATE）：使卡进入空闲状态 | 无专用复位命令，通常通过硬件复位或 WRSR 命令配置复位位 |
| 获取设备信息 | CMD2（ALL_SEND_CID）：获取卡标识信息 | 9Fh（JEDEC ID）或 90h（厂商 / 设备 ID） |
| 初始化配置 | CMD1（SEND_OP_COND）：设置操作条件（OCR 寄存器） | 无标准初始化命令，直接通过读写命令操作 |
| 功能 | SDNAND 命令 | SPI Flash 命令 |
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| 单块读 | CMD17（READ_SINGLE_BLOCK）：指定 LBA 读 | 03h（Fast Read）或 0Bh（Dual/Quad SPI Read） |
| 多块读 | CMD18（READ_MULTIPLE_BLOCK） | 3Bh（Continuous Read） |
| 单块写 | CMD24（WRITE_SINGLE_BLOCK）：指定 LBA 写 | 02h（Page Program） |
| 多块写 | CMD25（WRITE_MULTIPLE_BLOCK） | 无标准多块写命令，需多次页编程 |
| 功能 | SDNAND 命令 | SPI Flash 命令 |
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| 块擦除 | 无直接擦除命令（NAND 内部擦除由控制器处理） | D8h（Sector Erase，4KB）、C7h（Block Erase，64KB） |
| 获取状态 | CMD13（SEND_STATUS）：获取卡状态 | 05h（Read Status Register） |
| 擦除 / 写使能 | 自动处理（协议层控制） | 06h（Write Enable）、04h（Write Disable） |
| 功能 | SDNAND 命令 | SPI Flash 命令 |
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| 电源管理 | CMD5（SEND_CSD）、CMD16（SET_BLOCK_LEN） | 无标准命令，部分厂商支持掉电模式（B9h） |
| 加密 / 保护 | CMD42（LOCK_UNLOCK） | 3Dh（Write Security Register） |
接口协议复杂度：
存储结构差异：
寻址方式：
时序与响应：
| 维度 | SDNAND（SD 协议） | SPI Flash（SPI 协议） |
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| 命令长度 | 6 字节（含 CRC） | 1 字节（命令）+1-4 字节（地址），无 CRC |
| 协议层 | 包含卡识别、电源管理、总线控制等复杂流程 | 无协议层，直接操作芯片 |
| 典型命令示例 | CMD0（复位）、CMD17（读块）、CMD24（写块） | 9Fh（读 ID）、03h（读数据）、02h（写页） |
| 驱动开发 | 需实现 SD 协议栈（如初始化、响应解析） | 仅需 SPI 时序控制，命令集更简单 |
通过以上对比可知，SDNAND 的命令集更贴近 SD 卡协议，而 SPI Flash 的命令更聚焦于闪存芯片的底层操作，两者的设计逻辑和应用场景差异决定了命令体系的不同。
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