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MCU是如何控制SDNAND读跟写的

SD NAND-贴片式TF卡-贴片式SD卡-免费测试2025-06-2811

MCU 控制 SDNAND(SD 接口的 NAND Flash)进行读写操作涉及物理层协议、命令传输、数据路径和时序控制等多个层面。下面将从硬件架构、通信协议、工作流程和速度控制机制等方面详细解析其工作原理。

一、硬件架构与接口

1. 物理连接

MCU 与 SDNAND 的典型连接包括:


  • 数据总线:SDIO_D0~D3(4 线模式)或 SDIO_D0~D7(8 线模式)

  • 命令线:SDIO_CMD(双向,用于发送命令和接收响应)

  • 时钟线:SDIO_CLK(MCU 提供时钟信号)

  • 电源线:VDD(通常 3.3V 或 1.8V)和 GND

  • 可选信号线:CD(卡检测)、WP(写保护)

2. 内部结构

SDNAND 内部包含:

  • SD 接口控制器:处理 SD 协议层通信

  • NAND Flash 核心:存储数据的非易失性存储器

  • 闪存转换层(FTL):管理坏块、磨损均衡和地址映射

  • 缓存(Cache):通常为 8KB~64KB,提高读写效率

二、通信协议与命令集

1. SD 协议基础

  • 通信模式

    • SPI 模式:单线半双工,速率较低(最高约 25MHz)

    • SD 模式:支持 1 线 / 4 线 / 8 线传输,速率更高(SD 3.0 可达 208MB/s)

  • 命令格式

    • 所有命令以 CMDx 形式发送,包含命令索引、参数和 CRC 校验

    • 关键命令:CMD0(复位)、CMD8(电压校验)、ACMD41(初始化)、CMD17(读块)、CMD24(写块)等

2. 初始化流程

MCU 初始化 SDNAND 的典型步骤:

1. 发送CMD0(复位卡)→ 卡进入IDLE状态
2. 发送CMD8(检查电压支持)→ 确认卡支持的电压范围
3. 循环发送ACMD41(初始化卡)→ 直到卡退出IDLE状态
4. 发送CMD2(获取CID)和CMD3(设置RCA)→ 分配相对地址
5. 发送CMD9(读CSD)→ 获取卡的容量、块大小等信息
6. 发送CMD7(选择卡)→ 卡进入传输状态

3. 读写命令流程

  • 读操作(CMD17)

MCU → CMD17(块地址) → SDNAND
SDNAND → 响应数据令牌 → 数据块(512字节)→ CRC校验

写操作(CMD24)

MCU → CMD24(块地址) → SDNAND
MCU → 数据块(512字节)+ 数据令牌 → SDNAND
SDNAND → 写状态响应(成功/失败)

三、数据读写的工作原理

1. 读操作流程

  1. 命令传输:MCU 通过 SDIO_CMD 发送 CMD17 及目标块地址

  2. SDNAND 响应:SDNAND 解析命令,从 NAND Flash 读取数据到内部缓存

  3. 数据传输:SDNAND 通过数据总线将缓存中的数据发送给 MCU

  4. 校验确认:MCU 验证 CRC 校验码,确认数据完整性

2. 写操作流程

  1. 命令传输:MCU 发送 CMD24 及目标块地址

  2. 数据传输:MCU 将数据块发送到 SDNAND 的内部缓存

  3. 数据编程:SDNAND 将缓存数据写入 NAND Flash(后台操作)

  4. 响应返回:SDNAND 返回写操作状态(立即响应)或忙状态(等待写入完成)

3. 内部数据路径

MCU → SDIO接口 → SDNAND缓存 → FTL地址映射 → NAND Flash存储单元

四、读写速度控制机制

1. 时钟频率调整

  • SD 协议支持动态调整时钟频率:

    • 初始化阶段:使用低频率(如 400kHz)确保稳定通信

    • 数据传输阶段:逐步提高频率(如 25MHz、50MHz 或更高)

  • MCU 通过 CMD5(设置总线宽度)和 CMD6(切换电压 / 模式)控制速率

2. 总线宽度扩展

  • 1 线模式:仅使用 SDIO_D0 传输数据

  • 4 线模式:使用 SDIO_D0~D3 并行传输数据,理论带宽提升 4 倍

  • 8 线模式:使用 SDIO_D0~D7,带宽进一步提升

3. 数据缓存机制

  • SDNAND 内部缓存用于:

    • 批量读写数据,减少 NAND Flash 的随机访问

    • 实现预读取(Read Ahead)和后写入(Write Back)策略

  • 突发传输(Burst Transfer):连续传输多个数据块,减少命令开销

4. NAND Flash 的物理限制

  • 页编程时间:通常为 200~500μs / 页(2KB~4KB)

  • 块擦除时间:通常为 2~5ms / 块(128KB~256KB)

  • 读取延迟:通常为 25~50μs / 页

  • 这些物理特性决定了 SDNAND 的理论最大读写速度

五、关键技术细节

1. 闪存转换层(FTL)

  • 地址映射:将逻辑块地址(LBA)转换为物理块地址(PBA)

  • 坏块管理:检测并标记坏块,避免数据存储到坏块

  • 磨损均衡:均匀分配写入次数,延长 NAND 寿命

2. 错误纠正码(ECC)

  • SDNAND 内置 ECC 引擎,通常支持:

    • SLC:4~8 位 / 512 字节

    • MLC:8~16 位 / 512 字节

    • TLC:16~24 位 / 512 字节

  • ECC 用于检测并纠正数据读取时的位翻转错误

3. 电源管理

  • 低功耗模式:SDNAND 支持待机(Stand-by)、休眠(Sleep)和掉电(Power-down)模式

  • MCU 通过 CMD16(设置块长度)和 CMD13(状态命令)控制功耗

六、性能优化与挑战

1. 读写性能优化

  • 多块操作:使用 CMD18(连续读)和 CMD25(连续写)减少命令开销

  • DMA 传输:MCU 使用 DMA 控制器实现高速数据传输,减少 CPU 干预

  • 缓存策略:合理配置 SDNAND 缓存大小和刷新频率

2. 挑战与限制

  • 写入放大(Write Amplification):FTL 操作导致实际写入数据量大于应用层数据

  • 垃圾回收(Garbage Collection):后台清理无效数据,可能影响实时性能

  • 顺序 vs 随机读写:NAND Flash 对顺序读写优化更好,随机写性能较差

七、示例代码(STM32 MCU 控制 SDNAND)

// 初始化SD卡bool SD_Init(void) {
    uint8_t response[5];
    uint32_t timeout;
    
    // 1. 发送CMD0复位卡
    SD_SendCommand(CMD0, 0, 0x95);
    timeout = 0xFFFF;
    while (SD_ReceiveResponse(response) != R1_IDLE_STATE && timeout--);
    if (timeout == 0) return false;
    
    // 2. 发送CMD8检查电压支持
    SD_SendCommand(CMD8, 0x1AA, 0x87);
    if (SD_ReceiveResponse(response) != R7) return false;
    
    // 3. 循环发送ACMD41初始化卡
    do {
        SD_SendCommand(CMD55, 0, 0);  // 发送CMD55前缀
        SD_ReceiveResponse(response);
        SD_SendCommand(ACMD41, 0x40000000, 0);  // HCS=1表示支持高容量卡
        timeout = 0xFFFF;
        while (SD_ReceiveResponse(response) != R1_READY_STATE && timeout--);
    } while (response[0] & R1_IDLE_STATE);
    
    // 4. 发送CMD2获取CID
    SD_SendCommand(CMD2, 0, 0);
    SD_ReceiveCID();
    
    // 5. 发送CMD3设置RCA
    SD_SendCommand(CMD3, 0, 0);
    SD_ReceiveResponse(response);
    // 解析RCA...
    
    // 6. 发送CMD9读取CSD
    SD_SendCommand(CMD9, rca << 16, 0);
    SD_ReceiveCSD();
    
    // 7. 发送CMD7选择卡
    SD_SendCommand(CMD7, rca << 16, 0);
    if (SD_ReceiveResponse(response) != R1_SELECTED) return false;
    
    return true;}// 读取单个数据块bool SD_ReadBlock(uint32_t block_addr, uint8_t* buffer) {
    uint8_t response;
    uint16_t i;
    
    // 发送CMD17读取指定块
    SD_SendCommand(CMD17, block_addr, 0);
    if (SD_ReceiveResponse(&response) != R1_READY_STATE) return false;
    
    // 等待数据令牌
    if (SD_WaitForDataToken() != 0xFE) return false;
    
    // 接收512字节数据
    for (i = 0; i < 512; i++) {
        buffer[i] = SD_ReceiveByte();
    }
    
    // 接收CRC校验(忽略)
    SD_ReceiveByte();
    SD_ReceiveByte();
    
    return true;}// 写入单个数据块bool SD_WriteBlock(uint32_t block_addr, const uint8_t* buffer) {
    uint8_t response;
    uint16_t i;
    
    // 发送CMD24写入指定块
    SD_SendCommand(CMD24, block_addr, 0);
    if (SD_ReceiveResponse(&response) != R1_READY_STATE) return false;
    
    // 发送数据开始令牌
    SD_SendByte(0xFE);
    
    // 发送512字节数据
    for (i = 0; i < 512; i++) {
        SD_SendByte(buffer[i]);
    }
    
    // 发送CRC校验(忽略)
    SD_SendByte(0);
    SD_SendByte(0);
    
    // 检查响应
    response = SD_ReceiveByte();
    if ((response & 0x1F) != 0x05) return false;
    
    // 等待写入完成
    while (SD_ReceiveByte() == 0);
    
    return true;}

八、总结

MCU 控制 SDNAND 的读写过程是一个复杂的系统工程,涉及:

  1. 物理层通信:通过 SDIO 接口传输命令、地址和数据

  2. 协议层交互:遵循 SD 协议规范进行初始化和数据传输

  3. 内部数据处理:FTL 管理、ECC 校验和缓存优化

  4. 速度控制:通过时钟频率调整、总线宽度扩展和缓存机制实现

理解这些原理后,可以针对性地优化读写性能,例如:

  • 批量读写数据,减少命令开销

  • 利用 DMA 提高数据传输效率

  • 避免频繁随机写操作,降低写入放大

  • 合理设置时钟频率和总线模式

实际应用中,建议参考具体 MCU 和 SDNAND 的数据手册进行配置和优化。

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