SDNANDFLASH特性

SD NAND-贴片式TF卡-贴片式SD卡-免费测试2026-03-2610

NAND Flash 三大基本操作

操作	单位	特性	说明
① 擦除 (Erase)	块 (Block)	0 → 1	擦除后所有位变为 1 (0xFF)
② 写入/编程 (Program)	页 (Page)	1 → 0	只能将 1 翻转为 0，不能反向
③ 读取 (Read)	页 (Page)	非破坏性	可反复读取，不改变数据状态

读操作详解（您提到的第③点）

读操作特性：

读取单位：按页 (Page) 为单位读取（通常 4KB、8KB、16KB）

非破坏性：读取不会改变存储单元中的电荷状态，数据保持不变

读取速度：随机读取约 25μs，顺序读取可低至 25ns

读取原理：通过检测浮栅晶体管上的电荷状态，判断存储单元是导通还是截止，从而确定存储的是 0 还是 1

核心物理特性

┌─────────────────────────────────────────────────────────┐ │ 存储单元：浮栅极 MOSFET (Floating Gate Transistor) │ │ 数据存储原理：通过向浮栅注入/移出电子改变阈值电压 │ │ - 编程(写0)：向浮栅注入电子 │ │ - 擦除(写1)：移除浮栅上的电子 │ └─────────────────────────────────────────────────────────┘

典型性能参数