以下是针对全志T113-S3驱动SD NAND的完整指南，涵盖硬件设计（SDIO/SPI模式）、软件驱动开发流程、常见问题排查及注意事项：
适用场景：
需要高速数据传输（如大文件读写）
支持4位或8位总线宽度
引脚连接：
| T113-S3引脚 | SD NAND引脚 | 功能描述 | 注意事项 |
|---|---|---|---|
| PC0 | CLK | 时钟信号 | 信号线短，阻抗匹配 |
| PC1 | CMD | 命令/响应线 | 上拉电阻（10kΩ） |
| PC2-PC5 | DAT0-DAT3 | 数据线 | 等长处理（误差≤50mil） |
| VCC3.3 | VCC | 电源（3.3V） | 需确认NAND电压规格 |
| GND | GND | 地 | 就近接地 |
关键设计：
阻抗匹配：CLK信号线串联33Ω电阻，避免反射干扰。
电源滤波：在VCC引脚并联0.1μF+10μF电容滤除高频/低频噪声。
适用场景：
引脚资源有限
低速数据读写需求
引脚连接：
| T113-S3引脚 | SD NAND引脚 | 功能描述 | 注意事项 |
|---|---|---|---|
| PC2 | SCK | 时钟信号 | 降低频率防干扰 |
| PC4 | MOSI | 主发从收 | 建议使用屏蔽线 |
| PC5 | MISO | 主收从发 | 避免与高速信号并行 |
| PC3 | CS | 片选信号 | 上拉电阻（4.7kΩ） |
| PC6 | WP | 写保护（可选） | 接地禁用保护 |
| PC7 | HOLD | 保持（可选） | 上拉电阻（10kΩ） |
关键设计：
上拉电阻：CS、WP、HOLD必须上拉，防止信号悬空。
时钟频率：建议初始设置为24MHz，稳定后逐步提升。
SDIO模式配置：
// 文件路径：arch/arm/boot/dts/sun8i-t113s3.dtsi
&mmc0 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&mmc0_pins>; // 绑定SDIO引脚组
vmmc-supply = <®_vcc3v3>; // 电源控制
bus-width = <4>; // 4位数据线
max-frequency = <50000000>; // 50MHz
cap-sd-highspeed;
non-removable; // 固定设备（如eMMC/NAND）
status = "okay";
};SPI模式配置：
// 文件路径：arch/arm/boot/dts/sun8i-t113s3.dtsi
&spi0 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&spi0_pins>; // 绑定SPI引脚组
status = "okay";
spi-max-frequency = <24000000>; // 24MHz
spi_nand: spi-nand@0 {
compatible = "spi-nand";
reg = <0>; // 片选0
spi-tx-bus-width = <1>; // 单线发送
spi-rx-bus-width = <1>; // 单线接收
nand-ecc-engine = <&nand_ecc>; // ECC引擎
};
};启用驱动模块：
bash
make menuconfig
SDIO模式：
make -j8 && make dtbs # 编译内核与设备树sudo dd if=u-boot-sunxi-with-spl.bin of=/dev/sdX bs=1k seek=8 # 烧录到SD卡
Device Drivers → MMC/SD/SDIO card support → [*] Sunxi MMC controller support (MMC0) [*] MMC block device driver
SPI模式：
Device Drivers → MTD → [*] SPI-NAND device support [*] Cached read support
编译与烧录：
make -j8 && make dtbs # 编译内核与设备树sudo dd if=u-boot-sunxi-with-spl.bin of=/dev/sdX bs=1k seek=8 # 烧录到SD卡
检查步骤：
测量VCC电压是否稳定（3.3V±5%）。
使用示波器检测CLK/SCK信号是否存在且频率正确。
执行dmesg | grep mmc（SDIO）或dmesg | grep spi（SPI）查看驱动加载日志。
典型日志分析：
[ 2.560000] mmc0: new high-speed SDIO card at address 0001 # SDIO识别成功[ 3.120000] spi-nand spi0.0: SPI NAND ID: 0xef 0xaa 0x21 # SPI识别成功
解决方案：
降低时钟频率：在设备树中将max-frequency减半测试。
调整驱动强度：在DTS的引脚配置中添加drive-strength = <30>;（单位mA）。
ECC配置：修改ECC算法（如从软ECC切换到硬件引擎）：
nand-ecc-mode = "hw"; nand-ecc-strength = <4>; // 根据NAND规格调整
根文件系统挂载失败：
检查bootargs中的root=/dev/mtdblockX是否与实际分区一致。
使用mtdinfo /dev/mtd0确认分区表正确性。
硬件设计：
SDIO数据线长度差控制在±5%以内，避免时序偏移。
SPI模式下，CS信号线长度应短于其他信号线，减少片选延迟。
软件调试：
优先使用全志官方SDK（如Tina Linux），避免社区内核兼容性问题。
使用mmc-utils（SDIO）或mtd-utils（SPI）工具验证底层通信。
量产建议：
对NAND进行坏块扫描，预留至少2%的冗余块。
启用UBI文件系统（如ubifs）以提高NAND寿命。
调试工具：
spidev_test：SPI通信测试工具（需内核启用CONFIG_SPI_SPIDEV）。
mmc_test：SDIO协议层测试模块。
文档链接：
全志T113芯片手册：Allwinner T113 Datasheet
Linux MTD文档：MTD Subsystem Documentation
