以下是全志T113-S3驱动SD NAND的详细步骤，涵盖硬件设计（SDIO和SPI模式）、软件驱动配置及常见问题排查方法：
SDIO模式适用于高速通信，需连接以下引脚（具体引脚以芯片手册为准）：
CLK：时钟信号（如PC0）
CMD：命令/响应线（如PC1）
DAT0-DAT3：数据线（如PC2-PC5）
VCC/GND：电源与地（需符合NAND电压要求）
注意事项：
确保CLK信号线短且远离干扰源，必要时串联33Ω电阻匹配阻抗。
数据线建议做等长处理（误差≤50mil），减少时序偏差。
SPI模式适用于低速场景，需连接以下引脚：
SCK：时钟（如PC2）
MOSI：主发从收（如PC4）
MISO：主收从发（如PC5）
CS：片选（如PC3）
WP/HOLD（可选）：写保护和保持引脚（如PC6、PC7）
注意事项：
需在CS、WP、HOLD引脚添加上拉电阻（4.7kΩ~10kΩ），避免信号浮空。
若布线较长，需降低SPI时钟频率（如从100MHz降至24MHz）并提高驱动强度（如从10mA提升至30mA）。
在设备树文件（如board.dts）中添加SD NAND节点：
SDIO模式示例：
&mmc0 {
bus-width = <4>; // 4位数据总线
max-frequency = <50000000>;
cap-sd-highspeed;
cap-mmc-highspeed;
status = "okay";
};SPI模式示例：
&spi0 {
status = "okay";
spi-max-frequency = <24000000>;
spi-rx-bus-width = <1>;
spi-tx-bus-width = <1>;
spi-nand@0 {
compatible = "spi-nand";
reg = <0>;
spi-max-frequency = <24000000>;
nand-on-flash-bbt; // 启用坏块表
};
};关键参数：
spi-max-frequency：根据硬件布线质量调整，建议从低到高测试。
drive-strength：驱动强度设为30以提高信号稳定性。
启用驱动模块：
SDIO模式：启用CONFIG_MMC_SUNXI和CONFIG_MMC_BLOCK。
SPI模式：启用CONFIG_MTD_SPI_NAND和CONFIG_MTD_BLOCK。
通过make menuconfig搜索并勾选相关选项。
兼容性修改：
若使用高版本内核（如5.4），可能需要修改驱动代码（如fbtft-core.c中的GPIO请求函数）。
检查ECC算法兼容性，避免因NAND芯片差异导致数据错误。
分区表：在U-Boot或内核中定义正确的MTD分区（如/dev/mtdblock0为根文件系统）。
启动参数：在bootargs中指定根设备路径（如root=/dev/mtdblock5）。
硬件检查：
用万用表确认电源和地连接正常。
用示波器检测CLK信号是否稳定，排除干扰或频率过高问题。
软件检查：
查看内核日志（dmesg），确认驱动加载是否成功。
检查设备树引脚配置是否与硬件一致。
降低SPI/SDIO时钟频率（如从100MHz降至24MHz）。
调整NAND驱动中的ECC参数，或更换支持更严格ECC的NAND芯片。
检查PCB布线是否引入噪声，必要时重新设计等长线。
若提示Unable to mount root fs：
确认根文件系统分区号与bootargs一致。
检查文件系统镜像是否损坏（可通过fsck验证）。
全志在线论坛：SPI NAND四线模式问题讨论。
设备树配置示例：SPI屏幕驱动中的引脚配置方法。
信号完整性分析工具：使用Sigrity或HyperLynx优化布线设计。
