SDNAND（贴片式存储芯片）的电流参数如下：
典型值：SDNAND在读写操作时的标准工作电流小于250μA（微安）。
实际应用场景：
在高速模式（4线SD接口，时钟频率0~50MHz）下，峰值电流可能因频繁读写而短暂升高，但整体平均功耗仍控制在低水平。
电源设计需满足瞬时供电能力 ≥200mA，以应对启动或突发写入时的电流需求。
搜索结果未明确给出SDNAND的待机电流具体数值，但可通过以下信息推断：
静态电流（Idle状态）：当SDNAND处于非活动状态但仍保持上电时，电流消耗极低，通常为微安级（μA），接近其"标准电流"下限。
关断电流：若芯片完全断电（但仍连接电源），漏电流可低至纳安级（nA），但此状态需主机主动控制电源关闭。
工作电压：2.7V–3.6V，低电压设计有助于降低动态功耗。
节能特性：
支持自动休眠（Auto Power-Off）和电源管理，无操作时自动进入低功耗状态。
温度范围广（-40°C至+85°C），高温下电流稳定性较好。
电路优化：
建议为SDNAND单独供电，避免共享电源导致的电压波动。
上拉电阻（10kΩ–100kΩ）可减少总线浮动引起的额外功耗。
布局影响：
缩短信号走线、等长数据线设计可降低信号传输损耗，间接减少电流需求。
以下是SDNAND关键电气参数的总结：
| 参数类型 | 数值范围 | 备注说明 |
|---|---|---|
| 正常工作电流 | <250μA | 读写操作时的标准电流 |
| 峰值供电能力 | ≥200mA | 满足启动或突发写入需求 |
| 静态电流 | 微安级(μA) | 非活动状态的低功耗 |
| 关断电流 | 纳安级(nA) | 完全断电时的微小漏电流 |
| 工作电压 | 2.7V–3.6V | 低电压设计降低功耗 |
| 工作温度 | -40°C至+85°C | 宽温度范围保持稳定性 |
SDNAND的工作电流典型值 <250μA，待机电流为微安级，整体属于低功耗存储方案。
具体数值可能因型号（芯存者XCZSDNAND32GDGH）和操作模式（SPI/SDIO）略有差异，建议以具体型号的数据手册为准。
如需进一步验证特定型号的电流曲线，可参考厂商提供的Datasheet（如芯存者DGH系列）。
