nand和nor的区别

NAND 和 NOR 是两种不同的闪存技术，在结构、性能和应用场景上都有所不同，下面为你详细介绍：

1. 存储结构

• NOR Flash：存储单元采用并联结构，这种结构为它带来了随机访问的能力。

• NAND Flash：存储单元采用串联结构，此结构让它拥有更高的存储密度。

2. 读写性能

• NOR Flash：读取速度很快，不过写入和擦除速度较慢。

• NAND Flash：写入和擦除速度更快，读取速度则稍慢。

3. 应用场景

• NOR Flash：适用于对随机读取要求高的场景，像 BIOS 固件、小型程序存储等。

• NAND Flash：适合大容量数据存储，例如 SSD 固态硬盘、U 盘、SD 卡等。

4. 数据可靠性

• NOR Flash：具备较高的可靠性，支持按字节随机访问，不容易出现位翻转的情况。

• NAND Flash：需要额外的 ECC 校验来保证数据的可靠性，因为它更容易发生位翻转。

5. 成本

• NOR Flash：制造成本高，所以容量一般较小。

• NAND Flash：制造成本低，能够制成大容量的存储设备。

6. 擦写寿命

• NOR Flash：擦写次数通常在 10 万次以上。

• NAND Flash：根据类型不同有所差异，SLC 可达 10 万次，MLC 为 5万次，TLC 则是 1000 - 3000 次。

总结

综上所述，NOR 适合对随机读取和可靠性要求高的小容量应用；NAND 则在大容量存储方面表现出色，是主流选择。

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