在 Flash 存储技术中,BUF=1
或 BUF=0
通常指 状态寄存器中的 Buffer
(缓存)标志位,用于指示当前 Flash 芯片的 数据缓冲区状态。以下是具体解析:
BUF = 0
数据缓冲区空闲:Flash 芯片的缓存区当前无数据操作,可以接收新指令(如写入、擦除等)。
可操作状态:此时主机(CPU/主控)可发送新命令(如页编程、扇区擦除)。
BUF = 1
数据缓冲区繁忙:Flash 的缓存区正在处理数据(如写入数据到存储单元),禁止发送新命令。
等待状态:主机需轮询此标志位,直到 BUF=0
才能继续操作。
缓冲区(Buffer)的作用:
Flash 存储单元(如 NAND)的物理写入速度较慢。芯片内部设计了一个 SRAM 缓冲区 作为高速缓存:
主机先将数据快速写入缓冲区 → BUF=1
(表示缓冲区占用)。
Flash 芯片再将数据从缓冲区慢速写入存储单元(此时主机需等待)。
写入完成后,缓冲区释放 → BUF=0
(允许新操作)。
避免数据冲突:
若在缓冲区繁忙时强制发送新命令,会导致 数据损坏 或 操作失败。BUF
标志位是硬件级的保护机制。
以 SPI NAND Flash 操作为例:
写入数据流程:
// 步骤1:发送写入命令和数据到缓冲区(BUF 置为 1)SPI_Write_Command(WRITE_PAGE, page_address, data, size); // 步骤2:轮询状态寄存器,直到 BUF=0while (SPI_Read_Status() & 0x01) { // 假设 BUF 是状态寄存器的 bit0 // 等待缓冲区释放}// 步骤3:BUF=0 后,执行下一操作(如擦除、读取)
关键点:必须等待 BUF=0
才能进行后续操作,否则可能引发硬件错误。
与 BUSY
标志的区别:
BUSY
标志:表示存储单元(阵列)的操作状态(如擦除、编程)。
BUF
标志:仅表示缓冲区状态(与存储单元操作并行)。
典型顺序:
数据写入缓冲区 → BUF=1
(缓冲区占用)。
存储单元开始写入数据 → BUSY=1
(阵列操作中)。
缓冲区释放 → BUF=0
(可接收新数据,但存储单元可能仍在忙)。
芯片型号 | 状态寄存器位 | BUF 位置 | 读状态命令 |
---|---|---|---|
Winbond W25N01GV | Bit 3 | BUF=0x08 | Read Status (05h) |
Micron MT29F1G01 | Bit 5 | BUF=0x20 | Read Status (70h) |
GD5F1GQ4U | Bit 3 | BUF=0x08 | Read Status (05h) |
注:不同厂商对状态寄存器的定义不同,需以具体芯片手册为准。
BUF=0
→ 安全操作:缓冲区空闲,可发送新命令。
BUF=1
→ 禁止操作:缓冲区繁忙,需等待释放。
必要性:忽略 BUF
状态可能导致数据丢失或芯片锁死,在嵌入式开发中必须严格检查此标志位。
建议:操作 Flash时,优先查阅对应芯片的 Datasheet(数据手册),确认 BUF
在状态寄存器中的具体位置及操作时序。
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