这是一个非常好的问题，它触及了电子元器件封装、内部结构和焊接工艺的核心差异。
简单来说，核心原因是：STM32和SD NAND是两种完全不同结构的芯片。STM32是单一的、坚固的硅片，而SD NAND是一个“三明治”式的复杂封装，内部有更脆弱、更不耐热的部件。
下面我们从几个方面详细拆解为什么STM32更“耐造”：
STM32 (MCU/微控制器):
它本质上是一颗单片硅晶圆（Die）。虽然内部集成了CPU、内存、外设等无数晶体管，但它是在同一块硅片上通过光刻等工艺制造出来的单一、完整的结构。
你可以把它想象成一块实心的花岗岩，结构坚固，导热相对均匀。
SD NAND (或eMMC, UFS等):
它本质上是一个封装系统（SiP - System in Package）。它的内部通常至少包含两颗独立的芯片：
这两颗或多颗晶圆通过极细的金线 绑定到基板上，然后被封装在一个塑料外壳里。
你可以把它想象成一个精密的俄罗斯套娃或三明治，内部有多个易碎的部件和连接线。
NAND Flash 晶圆：负责存储数据。这是最脆弱的部分。
控制器 晶圆：负责管理NAND、纠错、磨损均衡等。
风枪加热是一个剧烈的局部热冲击过程。400°C的高温气流集中在芯片一个小区域，会瞬间产生巨大的热应力。
对STM32的影响：
作为单一硅片，它的热膨胀系数相对一致。虽然高温可能会损坏表面的晶体管（超过硅的极限，通常短期可承受300°C以上），但因为它结构简单坚固，热量传导到整个芯片需要时间，熟练的操作者可以在芯片整体温度升得过高之前完成焊接。
它的主要焊接风险是引脚氧化或内部金属层因过热而扩散（电迁移），但需要较高温度和较长时间。
对SD NAND的毁灭性影响：
内部金线熔断：400°C的风枪温度极易导致内部连接NAND晶圆和控制器的金线熔化或变形。金线的熔点虽然较高（约1064°C），但极其细小，在高温下机械强度急剧下降，很容易因热膨胀不均而断裂。这是最常见的死因。
封装材料分层：芯片的塑料封装体、内部粘合晶圆的胶水、以及基板之间的热膨胀系数不同。剧烈的局部加热会使这些不同材料以不同速率膨胀，导致内部脱层、开裂。一旦开裂，可能压断金线或破坏晶圆。
NAND晶圆本身更脆弱：NAND Flash存储单元是浮栅晶体管，其结构比MCU的逻辑晶体管更精细、更薄，对高温更加敏感。高温可能会直接导致存储单元电荷泄漏或栅氧层击穿，造成数据错误或永久损坏。
STM32: 通常采用LQFP、QFN等封装，芯片背面往往是暴露的铜基板或直接是硅片，能较快地将风枪的热量传导到PCB板和其他地方，有助于散热。
SD NAND: 多为BGA（球栅阵列）或LGA（栅格阵列）封装。芯片被完全包裹在塑料里，就像一个保温箱，热量很难迅速散发，容易在内部积聚，导致“焖烧”，温度实际可能比风枪显示的温度高得多。
结构简单：单体硅片，没有内部绑线，坚固耐用。
耐热性高：作为逻辑芯片，其制造工艺和材料本身就能承受较高的回流焊温度（无铅工艺峰值温度通常可达240-260°C）。
散热较好：封装形式利于热量从背部导出。
“幸存者偏差”：我们手工焊接STM32成功了太多次，形成了它很耐用的印象。但实际上，如果风枪温度失控、时间过长，STM32同样会烧毁。只是它的“死亡阈值”比SD NAND高得多。
降低温度：不要使用400°C。建议设置在300-330°C之间，甚至更低。
预热！预热！预热！：这是最关键的一步。使用预热台将整个PCB板底部加热到100-150°C。这样可以极大减少风枪加热时芯片与PCB之间的温差，避免热冲击。
均匀加热，保持距离：风枪嘴要绕圈，不要盯着一个点吹。保持一定距离（1-2cm），让热风均匀加热芯片周围的焊盘和PCB，利用PCB的热量通过焊点融化锡膏，而不是直接用热风“烤”芯片。
缩短时间：使用适量的助焊剂，可以帮助锡膏快速熔化，减少加热时间。看到锡珠有归位动作后，立即移开风枪。
参考数据手册：Always check the datasheet! 手册上通常会给出焊接的温度曲线建议。
总而言之，STM32是“实心石头”，而SD NAND是“内部有精细结构的玻璃工艺品”。用对待石头的方法去处理工艺品，结果自然是灾难性的。理解了它们的内在差异，就能采用正确的焊接方法了。
