AT32主控控制SD NAND时多块读写数据出错的问题,以下是逐步排查和解决方案:
降低时钟频率:尝试降低SDIO时钟频率(如切换至低速模式),观察是否问题消失。若正常,说明高频信号质量不佳。
检查PCB走线:确保SDIO的CLK、CMD、DATA信号线走线短且等长,避免交叉干扰,必要时添加串联电阻(如22Ω-100Ω)改善信号完整性。
电源稳定性测试:使用示波器测量SD NAND供电电压,多块读写时是否出现跌落(如低于3.3V±10%)。可并联电容(如100nF+10μF)增强滤波。
确认多块操作支持:检查SD NAND的CID/CSD寄存器,确认支持CMD18
(多块读)和CMD25
(多块写)。部分低端NAND可能不支持多块操作。
正确发送停止命令:多块读写后必须发送CMD12
终止传输,并等待SDIO_STA_DATAEND
标志置位,避免数据未完成写入。
块大小匹配:确保设置的读写块大小(如512字节)与SD NAND的物理块大小一致,通过CMD16
设置块长度。
DMA缓冲区对齐:确保DMA缓冲区地址按4字节或SDIO要求对齐(如32字节),避免边界越界。
双缓冲机制:多块传输时使用双缓冲(交替使用两个缓冲区),防止数据覆盖。例如:
// 示例:交替填充Buffer1和Buffer2HAL_SD_ReadBlocks_DMA(&hsd, Buffer1, StartAddr, BlockCount/2);while(/* 等待DMA完成 */);HAL_SD_ReadBlocks_DMA(&hsd, Buffer2, StartAddr + BlockCount/2, BlockCount/2);
关闭缓存或维护一致性:若使用CPU缓存,需在DMA传输前后调用SCB_InvalidateDCache()
(读)或SCB_CleanDCache()
(写)确保数据一致性。
检查SDIO中断配置:确保传输完成中断(如SDIO_IT_DATAEND
)和错误中断(如SDIO_IT_DCRCFAIL
)已启用,并在中断服务程序(ISR)中清除标志位。
超时机制:添加传输超时检测,避免卡死:
uint32_t timeout = 1000; // 超时时间while (!(SDIO->STA & SDIO_STA_DATAEND) && timeout--) {
// 等待或处理错误}
固件更新:查阅AT32芯片勘误表,确认是否存在SDIO多块传输的已知BUG,并更新至最新固件库。
坏块检测:使用CMD13
(SEND_STATUS)检查卡状态,或通过擦除测试(CMD38
)定位坏块。若发现坏块,需在驱动中实现坏块管理(BBM)。
寿命测试:对SD NAND进行全盘擦写测试,确认是否因擦写次数过多导致存储单元失效。
编写一个仅执行多块读写的裸机测试程序,绕过文件系统和复杂逻辑:
// 示例:多块写入测试uint8_t writeBuf[512 * 10] = {0xAA}; // 填充测试数据HAL_SD_WriteBlocks(&hsd, writeBuf, 0, 10, 1000); // 写入10块HAL_SD_ReadBlocks(&hsd, readBuf, 0, 10, 1000); // 读回if(memcmp(writeBuf, readBuf, 512*10) != 0) {
// 数据不一致,记录错误位置}
逻辑分析仪抓包:捕获SDIO总线波形,验证多块传输时CMD和DATA信号的时序是否符合规范(如CMD18后是否连续发送数据块)。
AT32 SDIO寄存器检查:在传输过程中监控SDIO_STA
寄存器,确认是否出现DCRCFAIL
、RXOVERR
等错误标志。
案例1:某用户因未等待SDIO_STA_DATAEND
即关闭传输,导致最后一块数据丢失。增加等待后解决。
案例2:DMA缓冲区未对齐,触发硬件错误。使用__attribute__((aligned(32)))
定义缓冲区后正常。
通过以上步骤逐步排查,可定位到具体原因。建议优先检查信号完整性和DMA配置,这两者是高发问题点。
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