当前位置: 首页 新闻资讯 技术问答

SPIFLash架构

SD NAND-贴片式TF卡-贴片式SD卡-免费测试2025-07-0218

SPI Flash(串行外设接口闪存)是一种基于 SPI 协议的非易失性存储设备,广泛应用于嵌入式系统中。其架构设计涵盖物理结构、电气特性、协议层及软件接口,以下是详细解析:

一、物理架构与存储结构

1. 基本物理组成

+-------------------+
|     控制逻辑      |
|  (命令解码器/状态机) |
+-------------------+
|     地址译码器    |
+-------------------+
|     数据寄存器    |
+-------------------+
|     存储阵列      |
|  (多个Block组成)   |
+-------------------+
|     ECC引擎       |
+-------------------+
|     SPI接口      |
+-------------------+

2. 存储阵列分层结构

  • Block(块):最小可擦除单元,通常为 64KB 或 128KB。

  • Sector(扇区):块的子单元,通常为 4KB,可独立编程。

  • Page(页):最小可编程单元,通常为 256 字节或 512 字节。

3. 典型容量与引脚定义

  • 容量范围:从 1Mb(128KB)到 2Gb(256MB)不等。

  • 标准引脚

    • SCLK:时钟输入

    • MOSI:主设备输出,从设备输入

    • MISO:主设备输入,从设备输出

    • CS#:片选信号,低电平有效

    • WP#:写保护(可选)

    • HOLD#:暂停操作(可选)

二、电气特性与通信协议

1. SPI 通信模式

  • 时钟极性(CPOL)

    • CPOL=0:空闲时钟为低电平(大多数设备采用)

    • CPOL=1:空闲时钟为高电平

  • 时钟相位(CPHA)

    • CPHA=0:数据在第一个时钟边沿采样

    • CPHA=1:数据在第二个时钟边沿采样

  • 常见模式组合:模式 0(CPOL=0, CPHA=0)和模式 3(CPOL=1, CPHA=1)

2. 通信速率

  • 标准 SPI:最高 50MHz

  • Dual SPI:通过 MOSI/MISO 同时传输双向数据,速率翻倍

  • Quad SPI:使用 4 条数据线(IO0-IO3)并行传输,速率提升 4 倍

3. 典型命令集

命令码功能描述
0x03读取数据(标准 SPI)
0x0B快速读取(带 1 字节空周期)
0x3B快速读取(Dual SPI 模式)
0x6B快速读取(Quad SPI 模式)
0x06写使能(WE)
0x04写禁止(WD)
0x20扇区擦除(4KB)
0xD8块擦除(64KB/128KB)
0xC7整片擦除
0x02页编程
0x05读取状态寄存器
0x01写状态寄存器

三、核心工作机制

1. 读写操作流程

// 读操作流程
1. 主机发送CS#低电平,选中设备
2. 发送读命令(如0x03)
3. 发送24位地址(大端格式)
4. 接收数据(MSB优先)
5. 主机发送CS#高电平,结束操作

// 写操作流程
1. 发送写使能命令(0x06)
2. 发送页编程命令(0x02)
3. 发送24位地址
4. 发送待写入数据(≤页大小)
5. 等待写入完成(通过状态寄存器检测)

2. 擦除机制

  • 必要性:闪存必须先擦除才能写入,且只能将 1 变为 0,擦除后所有位恢复为 1。

  • 擦除粒度

    • 扇区擦除(4KB):适用于小范围更新

    • 块擦除(64KB/128KB):效率更高

    • 整片擦除:耗时最长(几秒到几十秒)

3. 状态寄存器

  • 典型位定义

    • WIP(Write In Progress):写操作进行中标志

    • WEL(Write Enable Latch):写使能锁存位

    • BP [3:0](Block Protect):块保护位,用于写保护

    • SRP(Status Register Protect):状态寄存器保护位

四、架构演进与新技术

1. 高速接口技术

  • QPI(Quad SPI):4 线并行传输,单时钟周期可传输 4 位数据

  • OPI(Octal SPI):8 线并行传输,理论带宽达 1.6Gb/s

  • DTR(Dual Transfer Rate):在时钟的上升沿和下降沿都传输数据

2. 高级特性

  • XIP(Execute In Place):支持芯片内执行,无需先加载到 RAM

  • EEPROM 仿真模式:提供类似 EEPROM 的字节级寻址和操作

  • 自刷新功能:自动刷新数据,延长数据保存期限

3. 可靠性增强

  • ECC(错误校验与纠正):检测并纠正单比特或多比特错误

  • 坏块管理:自动标记和跳过坏块

  • 损耗均衡:平均分配写入次数,延长使用寿命

五、应用场景与选型建议

1. 典型应用

  • 嵌入式系统固件存储(如 STM32、ESP32 的程序存储)

  • 物联网设备配置数据存储

  • 工业控制设备参数保存

  • 消费电子(如智能手表、耳机)的存储

2. 选型要点

参数说明
容量根据应用需求选择(8Mb-2Gb)
接口类型标准 SPI/Dual SPI/Quad SPI/QPI
读写速度高速应用需关注持续读取速度(如≥100MB/s)
擦写寿命普通型 10 万次,工业级 100 万次
工作温度商业级(0°C 至 70°C)、工业级(-40°C 至 85°C)
封装形式SOIC、WSON、BGA 等,根据 PCB 空间选择

六、与其他存储技术的对比

特性SPI FlashNOR FlashNAND FlashEEPROM
接口复杂度
读写速度高(顺序写)
擦写寿命10 万次100 万次1000 次 - 10 万次100 万次
存储密度极低
成本 / 位极高
最小擦除单元4KB4KB64KB1 字节
典型应用固件存储代码存储大容量数据存储参数存储

七、软件驱动示例(伪代码)

// SPI Flash初始化void spi_flash_init(void) {
    // 配置SPI接口(模式0,最大速率)
    spi_config(CPOL=0, CPHA=0, speed=40MHz);
    
    // 读取设备ID,验证连接
    uint8_t device_id = read_device_id();
    if (device_id != EXPECTED_ID) {
        error_handler("SPI Flash初始化失败");
    }}// 读取数据void spi_flash_read(uint32_t address, uint8_t *buffer, uint32_t length) {
    // 使能片选
    cs_select();
    
    // 发送读命令
    spi_transfer(0x03);
    
    // 发送24位地址
    spi_transfer((address >> 16) & 0xFF);
    spi_transfer((address >> 8) & 0xFF);
    spi_transfer(address & 0xFF);
    
    // 读取数据
    for (uint32_t i = 0; i < length; i++) {
        buffer[i] = spi_transfer(0xFF);
    }
    
    // 释放片选
    cs_deselect();}// 页编程(写入数据)bool spi_flash_write(uint32_t address, uint8_t *buffer, uint32_t length) {
    // 检查地址是否跨页
    if ((address % PAGE_SIZE) + length > PAGE_SIZE) {
        return false; // 不支持跨页写入
    }
    
    // 发送写使能
    write_enable();
    
    // 使能片选
    cs_select();
    
    // 发送页编程命令
    spi_transfer(0x02);
    
    // 发送24位地址
    spi_transfer((address >> 16) & 0xFF);
    spi_transfer((address >> 8) & 0xFF);
    spi_transfer(address & 0xFF);
    
    // 写入数据
    for (uint32_t i = 0; i < length; i++) {
        spi_transfer(buffer[i]);
    }
    
    // 释放片选
    cs_deselect();
    
    // 等待写入完成
    wait_for_write_complete();
    
    return true;}

八、设计注意事项

  1. 电源稳定性:写入 / 擦除操作电流较大(可达 50mA),需确保电源纹波 < 5%

  2. ESD 防护:所有引脚需添加 TVS 二极管,耐压≥6V

  3. PCB 布局

    • SPI 信号线长度控制在 5cm 以内

    • 避免与高速时钟线(如晶振)平行走线

    • 电源滤波电容(10μF+100nF)靠近芯片放置

  4. 软件优化

    • 实现 XIP 时需注意缓存一致性

    • 频繁写入场景需实现损耗均衡算法

通过以上架构解析,可全面理解 SPI Flash 的工作原理和应用设计要点。在实际项目中,需根据具体需求(如容量、速度、可靠性)选择合适的产品型号,并参考厂商提供的 datasheet 进行电路设计和软件驱动开发。

热门标签:SD NAND FLASH 贴片式TF卡 贴片式SD卡 SD FLASH NAND FLASH


上一篇:sd nand卡spi电路

下一篇:SDNANDFLASH架构

SD NAND-贴片式TF卡-贴片式SD卡-免费测试

深圳市芯存者科技有限公司

售前咨询
售前咨询
售后服务
售后服务
联系我们

电话:176-6539-0767

Q Q:135-0379-986

邮箱:1350379986@qq.com

地址:深圳市南山区蛇口街道后海大道1021号C座C422W8

在线客服 在线客服 QQ客服 微信客服 淘宝店铺 联系我们 返回顶部