SDNAND（如集成在SD卡或嵌入式存储设备中的NAND闪存）通常需要两种电压：1.8V（低电压模式）和3.3V（标准电压模式），以满足不同场景下的功耗和性能需求。以下是这两种电压的生成方式及实现原理：
原理：通过调节输入电压与输出电压的差值，以线性方式降压。
应用：
若输入电压为3.3V，可直接用LDO降压至1.8V（例如TPS7A系列）。
若输入电压较高（如5V USB），需先用LDO或DC-DC转换器生成3.3V，再通过第二级LDO生成1.8V。
优点：电路简单、噪声低、成本低。
缺点：效率较低（尤其输入/输出压差大时），可能发热。
原理：通过开关元件（如MOSFET）和储能器件（电感、电容）实现高效降压。
应用：
输入电压较高时（如5V转3.3V或1.8V），使用Buck降压电路（如TPS62130）。
支持宽输入范围（如2.7V-5.5V），适合电池供电场景。
优点：效率高（可达90%以上），适合大压差场景。
缺点：电路复杂，需布局电感，可能引入开关噪声。
原理：单芯片集成多个LDO、DC-DC转换器及控制逻辑，可同时输出多路电压。
应用：
例如TPS65261等PMIC可同时生成3.3V（用于I/O）和1.8V（用于核心逻辑）。
优点：简化设计，支持动态电压调节（DVFS）。
缺点：成本较高，需配置寄存器。
动态切换：
低功耗模式：在待机或低速操作时，切换至1.8V以降低功耗。
高性能模式：在读写数据时，切换至3.3V以提高I/O速度。
实现方式：通过PMIC或MOSFET开关切换电源路径。
电压域隔离：
I/O供电（3.3V）：用于接口通信（如SD总线），确保信号电平兼容。
核心供电（1.8V）：用于NAND闪存内部逻辑，降低动态功耗。
3.3V生成：
使用DC-DC降压转换器（如AP2112）将3.7V降至3.3V，供I/O接口使用。
1.8V生成：
通过LDO（如AMS1117-1.8）从3.3V进一步降压至1.8V，供核心逻辑使用。
5V→3.3V：使用高效率Buck转换器（如SY8088）。
3.3V→1.8V：通过LDO或二次Buck转换器实现。
效率与散热：大电流场景优先选择DC-DC；小电流或低噪声场景用LDO。
噪声抑制：为LDO和DC-DC添加滤波电容（如10μF陶瓷电容+0.1μF去耦电容）。
电源时序：需确保1.8V和3.3V的上电顺序符合芯片要求（通常先核心电压后I/O电压）。
保护电路：加入过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）等机制。
NAND闪存芯片（如Kioxia TH58NVG2S3HBAxx）：
核心电压：1.8V ±5%（由LDO或PMIC提供）。
I/O电压：3.3V ±10%（直接来自系统电源或DC-DC）。
主控芯片（如群联PS5013）：
集成PMIC，支持动态切换1.8V/3.3V模式。
SDNAND的1.8V和3.3V电压可通过LDO、DC-DC或PMIC生成，具体方案取决于输入电源、效率需求和成本。设计时需重点关注电压稳定性、噪声控制及动态切换能力，以满足存储芯片的性能与功耗要求。
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