你描述的现象非常典型，结合你提到的两个可能性，分析如下：
核心问题：同时拔掉主电源和JLINK后重新上电数据丢失。
你提到的两个可能性（测试扇区擦除破坏数据、未写入成功）都可能是原因，但结合“只拔主电源保留JLINK数据正常”这个关键现象，原因更倾向于与调试器连接状态和MCU的异常复位/掉电过程相关。
详细分析和常见原因：
调试器连接对MCU行为的影响（关键线索）：
MCU的主电源被切断，核心停止工作。
但调试器接口（通常是SWD/JTAG）通常由调试器提供参考电压（Vref）或少量电源（取决于电路设计）。
调试器接口逻辑可能仍保持部分上电状态或处于一种确定的“挂起”状态。
重新上主电源时，由于调试器连接一直存在，MCU的复位过程可能更“温和”或更“受控”。调试器可能在复位序列中扮演了某种角色（例如保持复位线稳定、提供时钟参考等），使得启动代码不会执行破坏数据的操作（比如意外的Flash擦写）。
当同时拔掉主电源和JLINK时：
MCU主电源和调试器提供的任何辅助电源/信号瞬间完全消失。
MCU经历一次“硬”掉电。电源轨上的电压会快速下降（下降速率取决于板上的电容）。
在电压下降到MCU完全停止工作之前的临界电压窗口内，MCU内部逻辑状态可能变得不可预测（亚稳态）。
重新上电时，这是一个完全冷启动。MCU从复位向量开始执行代码，没有任何调试器的“干预”或“稳定”作用。
导致数据丢失的具体机制（在“硬”掉电/冷启动时）：
可能性 1：意外擦除/写入（你提到的第1点） - 最可能：
启动代码/Bootloader中的操作： 你的启动代码或Bootloader中可能包含一些初始化Flash、检查标志位、执行自检或恢复默认设置的操作。在调试器连接时的“温和”复位下，这些操作可能被跳过、条件不满足或执行正确。但在完全冷启动下，这些操作被完整执行，可能错误地擦除了你存储数据的扇区。
临界电压下的异常执行： 在掉电电压下降过程中，如果电压跌落到MCU工作电压范围以下但仍高于某个阈值，CPU或Flash控制器可能进入不可预测状态。它可能错误地执行了几条指令，其中恰好包含对Flash控制寄存器的写操作（甚至是擦除命令的编码），从而破坏了数据。这是一个概率性事件，但完全冷启动增加了发生的几率。
调试器特定初始化： 某些芯片或调试环境，在检测到调试器连接时会进行一些特殊的Flash控制器初始化或保护设置。冷启动时没有这些设置，可能导致默认行为不同。
可能性 2：数据从未正确写入/存储不稳定（你提到的第2点）：
写入后缺少验证或验证不充分： 如果写入数据的代码本身没有在写入后进行严格的读取验证（检查写入值是否正确），可能写入过程在某种条件下（如电压轻微波动）本就不完全成功。在调试器连接时“温和”复位下侥幸保留了不完整的数据（看起来“正常”），但冷启动时，不完整的数据被后续启动代码或Flash控制器自身的初始化破坏了。
写入后未正确等待操作完成/未复位状态标志： Flash写操作需要时间。如果代码在发起写操作后没有正确等待Flash控制器标志位（如BUSY位）变低就继续执行或复位，数据可能未固化。在调试器连接时，复位过程可能“掩盖”了这个问题。冷启动时，Flash控制器从初始状态开始，更容易暴露上次未完成的写操作留下的“脏”状态。
可能性 3：中断向量表/启动地址相关：
如果你存储数据的位置与中断向量表或启动代码区域有重叠（这是非常危险的），冷启动时CPU从复位向量取指，如果该区域的数据恰好被CPU误解为指令，可能导致执行流跑飞，执行了破坏其他Flash区域（包括你的数据区）的代码。
可能性 4：硬件问题（电源/复位）：
电源掉电过快： 板上储能电容太小，导致掉电时电压下降过快，大大增加了在临界电压下发生异常操作的风险。
复位电路不稳定： 复位信号（NRST）在掉电/上电过程中产生毛刺或未达到规定的低电平时间，导致MCU未能正确复位，启动行为异常。
调试器Vref/电源对MCU的影响： 调试器通过连接器给MCU的调试接口引脚（如SWCLK, SWDIO, RESET）供电或偏置。同时拔掉时，这些引脚可能瞬间悬空或电平突变，干扰了正在掉电的MCU内部状态。
诊断和解决方法：
检查启动代码/Bootloader：
是否有对包含你的数据扇区的Flash区域进行的擦除（FLASH_EraseSector/FLASH_ErasePage）或写入操作？
是否有初始化Flash控制器（FLASH_Unlock, FLASH_SetLatency等）的操作？这些操作本身通常不会擦数据，但错误配置可能导致后续访问异常。
是否有读取某些标志位（出厂标志、升级标志、错误标志）后，根据标志位状态去擦除特定扇区的逻辑？
是否有自检或恢复出厂默认设置的操作？
这是最优先的步骤。仔细审查从复位向量开始执行的代码。
重点查找：
修改策略： 确保启动代码绝对不触碰你用来存储用户数据的Flash扇区。如果Bootloader需要更新应用程序，确保它只擦写应用程序区域。
增强数据写入的健壮性：
写入后必验证： 在每次写入数据（尤其是关键数据）后，立即读取回写的内容，与预期写入的数据逐字节比较。只有验证完全成功才认为写入完成。
严格遵循Flash操作流程：
解锁Flash控制器（如果需要）。
清除所有错误标志。
发起操作（擦除/编程）。
等待操作完成（轮询BUSY位变低）。
检查操作是否成功（检查EOP、WRPERR、PGERR等标志位）。
锁定Flash控制器（如果需要）。
检查硬件：
测量电源掉电曲线： 用示波器观察同时拔掉主电源和JLINK时，MCU主电源引脚（VDD/VCC）上的电压下降波形。看是否下降过快（斜率陡峭）。如果过快，考虑在电源输入端并联更大容量的储能电容（如100uF或更大，注意电容耐压和类型）。
检查复位电路： 确保复位电路（RC或专用复位芯片）能在上电时提供足够长的低电平复位脉冲，在掉电时能快速拉低复位线。检查NRST引脚的上拉电阻值是否合适。用示波器看NRST信号在掉电/上电过程中的波形是否干净无毛刺。
检查调试器接口连接： 确保调试器连接器上的Vref（如果使用）正确连接到目标板的参考电压（通常是VDD）。检查RESET信号连接是否可靠。有些设计会在RESET线上加小电容滤波或串小电阻限流。
在代码中增加调试信息：
在启动代码最开始的地方（复位处理函数里），通过某个GPIO引脚输出一个特定的脉冲序列（比如拉高->延时->拉低），用示波器观察。比较“温和复位”（只拔主电源）和“冷启动”（同时拔电源和JLINK）时，这个脉冲是否都能正常输出？如果冷启动时没有脉冲，说明MCU在很早期就跑飞了。
在擦除/写入Flash的代码前后设置标志（比如写特定的RAM变量），在启动时检查这些标志，看冷启动时是否意外执行了这些代码。
总结：
最根本的原因极可能在于同时拔掉电源和调试器导致的“硬”掉电和完全冷启动，触发了：
启动代码/Bootloader中设计上的缺陷：在冷启动路径下执行了擦除你的数据扇区的操作。
掉电过程中临界电压下的异常行为：导致Flash控制器状态混乱或错误执行了破坏性指令。
优先重点排查和修改你的启动代码/Bootloader，确保它在任何启动条件下都不会触及用户数据存储区。 同时，加强数据写入后的验证和Flash操作的健壮性。硬件上检查电源掉电速度和复位信号质量也是必要的步骤。
