关于SD NAND内部使用的NAND闪存晶圆的工艺节点（通常说的“几纳米”），情况是这样的：
核心是NAND闪存技术： SD NAND本质上是一个将NAND闪存晶圆（Die）、控制器（Controller）和必要的无源元件集成在一个小型LGA封装内的模块。所以，它的核心存储单元技术就是主流的NAND闪存技术。
主流是3D NAND： 目前市场上绝大部分的SD NAND（以及U盘、SSD、手机存储等）内部使用的都是 3D NAND 闪存。3D NAND是当前绝对的主流技术。
3D NAND的“纳米节点”意义不同：
克服物理极限： 避免了2D NAND在十几纳米以下遇到的电子干扰、可靠性等物理极限问题。
提高密度和容量： 通过向上堆叠而不是无限制地缩小平面尺寸来增加存储单元数量。
降低成本和提高良率： 使用成熟的大线宽工艺通常意味着更高的良品率和更低的制造成本。
与追求极致线宽的CPU/逻辑芯片（如5nm, 3nm）不同，3D NAND更关注的是 堆叠层数。
3D NAND是在相对 较成熟的、线宽较大的工艺节点（通常在 几十纳米级别）上制造，然后通过多层堆叠来获得高密度。
这样做的好处是：
常见的3D NAND工艺节点（平面线宽）：
20nm - 30nm 范围 是非常常见的用于制造3D NAND存储单元的平面工艺节点。
一些更先进的3D NAND可能会使用接近 10几纳米（如14nm - 19nm） 的工艺来制造底层的选择管或外围电路，但核心的存储单元堆叠部分通常还是基于更大的线宽。
第一代3D NAND可能使用 40nm - 50nm 级别的工艺。
随着堆叠层数的增加，为了优化性能和密度，平面工艺也在微缩。但主流仍然在：
关键指标是层数： 谈论3D NAND时，“多少层”（如64层、96层、128层、176层、232层甚至更高）比“多少纳米”更能代表其先进程度和存储密度。
2D NAND（已较少见）：
在3D NAND普及之前，2D NAND是主流，其工艺节点不断微缩。
2D NAND的工艺节点曾推进到 15nm/16nm，甚至 1x nm（指10-19nm范围）和 1y nm（指10几纳米的后半段）。三星、美光、铠侠（东芝）、SK海力士等都量产过这些节点的2D NAND。
但是，由于物理极限和成本效益问题，2D NAND在大容量存储领域已被3D NAND取代。在SD NAND中，现在也基本是3D NAND的天下了。
总结：
SD NAND内部使用的NAND闪存晶圆，目前绝大多数是3D NAND。
3D NAND的核心制造工艺（平面线宽）通常是在 20nm - 40nm 这个范围（常见于20nm+），而不是像先进CPU那样的个位数纳米。
衡量3D NAND先进性的主要指标是堆叠层数（如128L, 176L, 232L等），而不是纳米数。
即使有更精细的工艺用于部分电路，其核心存储单元的制造也基于相对较大的线宽。
非常老的或极低端的SD NAND才可能使用2D NAND，其工艺节点可能在15nm/16nm或1x/1y nm级别，但这在当前市场已不常见。
因此，当你问SD NAND里面的晶圆是几纳米时，更准确的回答是：它使用的是基于几十纳米级别（如20nm-40nm）平面工艺制造的3D NAND堆叠结构，其先进性主要体现在堆叠层数上。 直接说一个“xx纳米”的数字（如5nm, 7nm）对于描述SD NAND的核心存储技术是不准确的。
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